性能可以达到75万IOPS(4K随机读)、3.2GB/s读带宽以及80 μs/14 μs的www.play998.com

当前位置:永利皇宫登录 > www.play998.com永利皇宫 > 性能可以达到75万IOPS(4K随机读)、3.2GB/s读带宽以及80 μs/14 μs的www.play998.com
作者: 永利皇宫登录|来源: http://www.thetaborhood.com|栏目:www.play998.com永利皇宫

文章关键词:永利皇宫登录,存储密度

  2016年,NAND的存储密度首超磁介质达到1.69Tb/in2(Tb 每平方英尺) 1.69Tb/in2(Tb 每平方英尺),而磁介质密度则为1.3Tb/in2。值得注意的是,NAND的存储密度仍然呈现高速增长的趋势,2017年将达到2.77Tb/in2,持续拉大与磁介质的差距。

  NAND在存储密度发展能够一直在快车道上主要取决于三个关键因素。首先要说的是Cell的种类,按照每个cell能存储的bit数分为SLC、MLC、TLC和QLC几种,其中QLC(每个存储单元存储4bit)还在研究阶段,没有进入市场,本文不再加入讨论。

  SLC虽然耐擦写能力等指标都明显优于其他两种Cell,但是由于成本过高并没有得到大规模应用。在2D-NAND时代,MLC在耐擦写能力、出错率等特性上取得了非常好的平衡,加上ECC、磨损均衡等一系列核心技术的支持,采用MLC的SSD能够应对绝大多数企业级应用场景,而最终成为数据中心中SSD配备最广泛的NAND。

  值得一提的是PCIe SSD这一形态,2013年Memblaze发布的PBlaze3采用MLC,性能可以达到75万IOPS(4K随机读)、3.2GB/s读带宽以及80 μs/14 μs的读/写延时,这样的性能较主流SATA SSD提升了数十百倍。性能上质的提升使得NAND在企业数据中心中应用进入一个新的时期。

  NAND的制程是另一个影响NAND存储密度的关键因素。2D NAND从早期50多nm到19nm,最后发展到了16/15nm。每次制程的升级都将NAND存储密度提升到新的高度,但是NAND闪存的制程工艺是双刃剑,容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降,因为工艺越先进,NAND的氧化层越薄,可靠性也越差,厂商就需要采取额外的手段来弥补,但这又会提高成本,以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。

  就NAND本身而言,当前存储密度最高的无疑是3D-TLC,而在这个基础上堆叠更多层和缩减制程是两个重要的方向。下面是四大NAND厂商的3D-TLC产品。www.play998.com永利皇宫

  当下NAND市场的状态如何呢?集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示,随着下半年各家原厂最新64层堆栈的3D-NAND Flash产能开出,www.play998.com永利皇宫在三星及美光等领头羊带领下,预估第三季3D-NAND Flash产出比重将正式超越50%,成为 NAND Flash市场的主流制程。经过数年的技术积累,2017年迎来了NAND从2D到3D过渡的拐点。

  3D-TLC存储密度大,但是相比MLC,出错率更高,必须要有更高效、纠错能力更强的技术支持,这就是LDPC(Low Density Parity Check Code,低密度奇偶校验码)。那么LDPC的秘密在哪?这将是下篇文章所要讲的内容了。

  《集邦咨询:3D-NAND Flash第三季产出比重将突破50%大关,正式成为主流制程》返回搜狐,查看更多

网友评论

我的2016年度评论盘点
还没有评论,快来抢沙发吧!